熱點資訊
聯系方式
- 手機：181-4585-5552
- 電話：0755-82965240
- Q Q：277187808
- 郵箱：[email protected]
- 地址：深圳市龍華區(qū)民治街道民治社區(qū)金華大廈1504
國產DRAM內存芯片和三星的技術差距是幾年？
作者：admin 發(fā)布時間：2024-02-23 09:13:18 點擊量：
國產DRAM內存芯片和三星的技術差距大約是5年。
具體來說，三星和SK海力士計劃在年底前投產第五代10nm級（1b或者說12nm）內存芯片，而國產DRAM代表企業(yè)合肥長鑫今年的打算是第二代10nm（1y或者說16/17nm）。
一般而言，DRAM每一代的演進時間是2年到2年半。按照正常節(jié)奏，國產內存芯片有機會進一步縮短與三星的技術差距。然而，目前一個比較棘手的問題是，三星和SK海力士已經引入了EUV（極紫外光刻）設備用于生產更先進的DRAM芯片，而國產企業(yè)暫時還無法獲取這一設備。
推薦產品 MORE+
推薦新聞 MORE+
- 英諾賽科代理常見問題解析：提貨周期、退換貨政策與技術支持2025-07-17
- 數據中心服務器電源 GaN vs Si效率對比測試報告2025-07-16
- 英偉達加大在中國的招聘力度，專注于人工智能驅動的汽車2025-07-11
- 臺積電證實未來兩年內逐步退出氮化鎵業(yè)務2025-07-10
- 恩智浦計劃關閉四座8英寸晶圓廠 并將生產線轉向12英寸2025-07-08
- 集澈代理BMS芯片的性價比與客戶落地案例2025-07-04
