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英飛凌采用測量方法進(jìn)行 GaN 和 SiC 開發(fā)
作者：admin 發(fā)布時(shí)間：2024-08-26 10:22:12 點(diǎn)擊量：
英飛凌科技致力于通過實(shí)施針對功率半導(dǎo)體和寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體（包括碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)）的測量策略來保持其在功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先地位。
英飛凌采取了謹(jǐn)慎的方式來發(fā)展氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)。通過在多個(gè)領(lǐng)域投資數(shù)十億歐元，包括收購GaN Systems等，英飛凌致力于在半導(dǎo)體行業(yè)取得突破性進(jìn)展。
該公司在整合硅、碳化硅和氮化鎵等三種半導(dǎo)體材料方面積累了專業(yè)知識，以確保其開發(fā)和推出的新型電源解決方案在AI數(shù)據(jù)中心和其他領(lǐng)域具有競爭優(yōu)勢。
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